温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMC007N30D
2个N沟道 耐压:30V 电流:29A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此器件在一个双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC007N30D
- 商品编号
- C890918
- 商品封装
- WDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件在双功率33（3mm X 3mm MLP）封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（Q2）经过优化设计，可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 10 A时,最大rDS(on) = 11.6 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 9 A时,最大rDS(on) = 13.3 mΩ
- Q2:N沟道
- VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 6.4 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 15 A时,最大rDS(on) = 7.0 mΩ
- 符合RoHS标准
应用领域
- 移动计算
- 移动互联网设备
- 通用负载点