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FDMC007N30D实物图
  • FDMC007N30D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMC007N30D

2个N沟道 耐压:30V 电流:29A

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描述
此器件在一个双 Power33 (3 mm X 3 mm MLP) 封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部联接,可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 MOSFET (Q2) 可提供最佳功率能效。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMC007N30D
商品编号
C890918
商品封装
WDFN-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.139克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)29A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@4.5V,15A
耗散功率(Pd)1.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.11nF@15V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

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