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FDMC0310AS
FDMC0310AS
- 描述
- FDMC0310AS 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。此器件还增加了高效单片肖特基体二极管的优点。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC0310AS
- 商品编号
- C890923
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
FDMC0310AS专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。结合了硅和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了最低的导通电阻rDS(on)。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 19 A时，最大导通电阻rDS(on) = 4.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 17.5 A时，最大导通电阻rDS(on) = 5.2 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管（SyncFET）肖特基体二极管
- 符合MSL1标准的坚固封装设计
- 经过100%单脉冲雪崩能量（UIL）测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信次级侧整流