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FDMB2308PZ
2个P沟道
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- 描述
- 此器件专门设计用作锂离子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装方案。它具有两个共漏极 P 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向，基于安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺以及最新的 MicroFET 引线框架，FDMB2308PZ 可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMB2308PZ
- 商品编号
- C890913
- 商品封装
- MLP-6(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192308克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 510pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品概述
该器件专为锂离子电池组保护电路及其他超便携式应用设计，采用单封装解决方案。它采用仙童先进的PowerTrench®工艺和先进的MicroFET引线框架，集成两个共漏P沟道MOSFET，支持双向电流流动，FDMB2308PZ可最大限度减少PCB空间和rS1S2(导通)电阻。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -5.7 A条件下,最大rS1S2(导通)电阻为36 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -4.6 A条件下,最大rS1S2(导通)电阻为50 mΩ
- 采用全新2x3 mm MicroFET封装,高度低至最大0.8 mm
- 人体模型( HBM)静电放电( ESD)保护等级达2.8 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组