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FDMA86251
1个N沟道 耐压:150V 电流:2.4A
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- 描述
- 该器件专为同步降压转换器实现最高效率和热性能而设计。低导通电阻（rDS(on)）和栅极电荷可提供出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA86251
- 商品编号
- C890907
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0373克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V,2.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为同步降压转换器提供最高效率和热性能而设计。低导通电阻 rDS(on) 和栅极电荷可提供出色的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 2.4 A 时，最大 rDS(on) = 175 mΩ
- 在 VGS = 6 V、ID = 2.0 A 时，最大 rDS(on) = 237 mΩ
- 超薄设计 — 新型 2x2 mm MicroFET 封装的最大厚度为 0.8 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流 - 直流主开关
- 负载开关