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FDMA8878
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A 10A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA8878
- 商品编号
- C890910
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为同步降压转换器实现最高效率和热性能而设计。低导通态漏源电阻（rDS(on)）和栅极电荷可提供出色的开关性能。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 9.0 A 条件下,最大导通电阻(RDS(ON))为 16 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 8.5 A 条件下,最大导通电阻(RDS(ON))为 19 m Ω
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻(RDS(ON))
- 开关速度快
- 无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流降压转换器
- 笔记本电脑(NB)中的负载开关
- 笔记本电脑电池电源管理