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FDMA8878

1个N沟道 耐压:30V 电流:9A 10A

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描述
此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能进行了优化。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMA8878
商品编号
C890910
商品封装
VDFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)9A;10A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V,9A
属性参数值
耗散功率(Pd)2.4W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)720pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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