FDMA410NZT
1个N沟道 耐压:20V 电流:9.5A
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- 描述
- 此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺设计的，可基于特制的 MicroFET 引线框架优化 rDS(ON) @ VGS = 1.5 V。此设计与 FDMA410NZ 类似，但它采用我们先进的新型 0.55mm（最大）2x2 MLP 封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA410NZT
- 商品编号
- C890899
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V,9.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 118pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.5 V时的RDS(on)。 此设计与FDMA410NZ类似，但采用了安森美半导体最新的最大厚度为0.55 mm的2 x 2 MLP封装技术。
商品特性
- 最大封装高度0.55 mm的MicroFET 2 x 2 mm封装
- VGS = 4.5 V、ID = 9.5 A时，最大RDS(on) = 23 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 8.0 A时，最大RDS(on) = 29 mΩ
- VGS = 1.8 V、ID = 4.0 A时，最大RDS(on) = 36 mΩ
- VGS = 1.5 V、ID = 2.0 A时，最大RDS(on) = 60 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电（ESD）保护等级 > 1.5 kV
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- 直流-直流转换
- 移动设备开关