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FDMA507PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:7.8A
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- 描述
- 此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET。MicroFET 2X2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA507PZ
- 商品编号
- C890900
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可将导通电阻降至最低。此器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在 VGS = -5 V、ID = -7.8 A 时,最大 rDS(on) = 24 m Ω
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -7 A 时,最大 rDS(on) = 25 m Ω
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -5.5 A 时,最大 rDS(on) = 35 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -4 A 时,最大 rDS(on) = 45 m Ω
- MicroFET 2X2 mm封装,低外形高度——最大0.8 mm
- 典型人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >3.2 ~K V
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 蜂窝手机
- 其他超便携式应用
- 线性模式应用