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FDMA6023PZT
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA6023PZT
- 商品编号
- C890901
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 885pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，采用单封装解决方案。它具备两个独立的P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。在典型的共源极配置下，可实现双向电流流动。 MicroFET 2X2 Thin封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.6 A时,最大rDS(on) = 60 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -3.0 A时,最大rDS(on) = 80 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -2.0 A时,最大rDS(on) = 110 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -1.0 A时,最大rDS(on) = 170 mΩ
- 新型MicroFET 2x2 mm Thin封装的低外形设计,最大高度为0.55 mm
- 典型HBM ESD保护等级 >2.4 kV
- 符合RoHS标准
- 不含卤化化合物和氧化锑
应用领域
-电池保护-电池管理-负载开关