温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMA86151L
1个N沟道 耐压:100V 电流:3.3A
- 描述
- 此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA86151L
- 商品编号
- C890906
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体（onsemi）专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 3.3 A 时,最大 rDS(on) = 88 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A 时,最大 rDS(on) = 132 m Ω
- 薄型设计 — 新型 2x2 mm MicroFET 封装的最大高度为 0.8 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-直流-直流降压转换器