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FDMA410NZ
1个N沟道 耐压:20V 电流:9.5A
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- 描述
- 这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，可在特殊的MicroFET引线框架上将rDS(ON)优化约1.5倍。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA410NZ
- 商品编号
- C890898
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.5 V时的rDS(ON)。
商品特性
- VGS = 4.5 V、ID = 9.5 A时,最大rDS(on) = 23 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 8.0 A时,最大rDS(on) = 29 mΩ
- VGS = 1.8 V、ID = 4.0 A时,最大rDS(on) = 36 mΩ
- VGS = 1.5 V、ID = 2.0 A时,最大rDS(on) = 50 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级 >2.5 kV
- 低外形——新型2x2 mm MicroFET封装最大高度为0.8 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- DC-DC转换