FDMA3027PZ
2个P沟道 耐压:30V 电流:3.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA3027PZ
- 商品编号
- C890896
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为满足双开关需求而设计，采用单封装解决方案，例如用于较大型MOSFET的栅极驱动器。它包含两个独立的P沟道MOSFET，具有低导通电阻，可将传导损耗降至最低。 MicroFET 2x2封装在其物理尺寸下具备出色的热性能，非常适合线性模式应用。增加了G-S齐纳二极管，以提高ESD电压等级。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3.3 A时,最大RDS(on) = 87 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A时,最大RDS(on) = 152 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护等级典型值 >2 kV
- 新型MicroFET 2x2 mm封装的超薄设计——最大厚度为0.8 mm
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-分立栅极驱动器