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FDMA1032CZ
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他超便携应用中 DC/DC“开关”MOSFET 的单封装解决方案。它具有一个独立的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，且均具有低导通电阻，可实现最低的导电损耗。每个 MOSFET 的门极电荷也得以最大程度降低，可实现直接在控制设备中进行的高频开关。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA1032CZ
- 商品编号
- C890893
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A；3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的DC/DC“开关”MOSFET设计，采用单封装解决方案。其特点是集成了独立的N沟道和P沟道MOSFET，具有低导通电阻，可将传导损耗降至最低。每个MOSFET的栅极电荷也被最小化，允许直接从控制设备进行高频开关。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合开关应用。
商品特性
- Q1:N沟道
- 3.7 A、20 V。VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 68 mΩ
- VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 86 mΩ
- Q2:P沟道
- -3.1 A、 -20 V。VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 95 mΩ
- VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 141 mΩ
- 新型MicroFET 2x2 mm封装,低外形高度——最大0.8 mm
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >2 kV
- 符合RoHS标准
- 不含卤化化合物和氧化锑