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FDMA037N08LC
1个N沟道 耐压:80V 电流:6A
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- 描述
- 此器件用于为同步降压转换器提供最高能效和热性能。低 rDS(on) 和门极电荷提供了卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA037N08LC
- 商品编号
- C890888
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件专为同步降压转换器提供最高效率和热性能而设计。低导通电阻rDS(on)和栅极电荷可提供出色的开关性能。
商品特性
- PTNG MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 4 A时,最大导通电阻rDS(on) = 36.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 3 A时,最大导通电阻rDS(on) = 56.9 mΩ
- 具备5 V驱动能力
- 反向恢复电荷Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 更低的开关噪声/电磁干扰
- 低外形——新型MicroFET 2x2 mm封装最大高度为0.8 mm
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器