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FDMA008P20LZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA008P20LZ
- 商品编号
- C890887
- 商品封装
- PQFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,2.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.383nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携式应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了具有低导通电阻的MOSFET，并配备齐纳二极管以提供ESD保护。 WDFN6（MicroFET 2.05 × 2.05）封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2.5 A时，最大rDS(on) = 13 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -1.4 A时，最大rDS(on) = 16 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -1.0 A时，最大rDS(on) = 20 mΩ
- 在VGS = -1.5 V、ID = -0.85 A时，最大rDS(on) = 30 mΩ
- 新型WDFN6（MicroFET 2.05 × 2.05 mm）封装的超薄设计，最大厚度仅为0.8 mm
- 典型HBM ESD保护等级 >1 kV
- 无卤化物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 蜂窝手机-其他超便携式应用-线性模式应用