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FDM3622
1个N沟道 耐压:100V 电流:4.4A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDM3622
- 商品编号
- C890886
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,4.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.09nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.4 A时，最大rDS(on) = 60 mΩ
- 在VGS = 6.0 V、ID = 3.8 A时，最大rDS(on) = 80 mΩ
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 高频下效率优化
- 具备UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器