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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -0.6 A,-20 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 420 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 630 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 紧凑的行业标准 SC70 - 6 表面贴装封装
应用领域
-电池管理-负载开关