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FDC8602
耐压:100V 电流:1.2A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC8602
- 商品编号
- C890877
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 1.2 A条件下,最大导通电阻RDS(ON)为350 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 0.9 A条件下,最大导通电阻RDS(ON)为575 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 同步整流器