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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计,是一款单封装解决方案。其特点是MOSFET导通电阻极低,独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小传导损耗。 MicroFET 2X2封装在其物理尺寸下具备出色的热性能,非常适合线性模式应用。
商品特性
- MOSFET
- VGS = -4.5 V、ID = -3.1 A时,最大rDS(on) = 95 mΩ
- VGS = -2.5 V、ID = -2.5 A时,最大rDS(on) = 141 mΩ
- 人体模型(HBM)静电放电保护等级 >2.5 kV
- 肖特基二极管
- 500 mA时,VF < 0.37 V
- 新型MicroFET 2 x 2 mm封装,低外形高度 - 最大0.8 mm
- 这些器件无铅且符合RoHS标准