FDFMA2P029Z-F106
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.1A
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- 描述
- 此器件专门设计为手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有一个具有极低导通电阻的 MOSFET，和一个单独联接的低正向电压肖特基二极管，可实现最低导通损耗。MicroFET 2X2 封装提供相对于物理尺寸的卓越热性能，适用于线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMA2P029Z-F106
- 商品编号
- C890881
- 商品封装
- WDFN-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V,3.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该器件专为手机及其他超便携式应用中的电池充电开关设计，是一款单封装解决方案。其特点是MOSFET导通电阻极低，独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小传导损耗。 MicroFET 2X2封装在其物理尺寸下具备出色的热性能，非常适合线性模式应用。
商品特性
- MOSFET
- VGS = -4.5 V、ID = -3.1 A时，最大rDS(on) = 95 mΩ
- VGS = -2.5 V、ID = -2.5 A时，最大rDS(on) = 141 mΩ
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级 >2.5 kV
- 肖特基二极管
- 500 mA时，VF < 0.37 V
- 新型MicroFET 2 x 2 mm封装，低外形高度 - 最大0.8 mm
- 这些器件无铅且符合RoHS标准