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FDC8878
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A 电流:8A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，针对 rDS(on)、开关性能进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC8878
- 商品编号
- C890878
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺针对导通电阻（rDS(on)）和开关性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 8.0 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 16 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 7.5 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 18 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻(rDS(on))
- 开关速度快
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主开关