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FDC8601
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.7A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，集成了屏蔽栅技术。该工艺在导通电阻、开关性能和耐用性方面进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC8601
- 商品编号
- C890876
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 109mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺针对导通电阻（rDS(on)）、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 2.7 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 109 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 2.1 A时,最大导通电阻(rDS(on)) = 176 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻(rDS(on))
- 广泛使用的表面贴装封装,具备高功率和电流处理能力
- 快速开关速度
- 100%进行UI1L测试
- 符合RoHS标准
- SuperSOT -6封装
应用领域
-负载开关-同步整流器-初级开关