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FDC6321C
双路N沟道和P沟道数字场效应晶体管
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- 描述
- 这些双N和P沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种双数字FET可以替代多个具有不同偏置电阻的数字晶体管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6321C
- 商品编号
- C890873
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA；460mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@4.5V；450mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 860mV@250uA；860mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.64nC@4.5V；1.1nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF；63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF；34pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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