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FDC642P
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC642P
- 商品编号
- C890875
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 925pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的低电压、高速开关应用而设计。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 , \textV、ID = -4.0 , \textA 时,最大 rDS(on) = 65 , \textmΩ
- 在 VGS = -2.5 , \textV、ID = -3.2 , \textA 时,最大 rDS(on) = 100 , \textmΩ
- 开关速度快
- 栅极电荷低(典型值为 11nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的 r\textDS(on)
- SuperSOT - 6 封装:占用空间小(比标准 SO - 8 小 72%);厚度薄(1mm)
- 引脚无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
-负载开关-电池保护-电源管理