FCMT360N65S3
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
- 描述
- SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用,如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装(高 1mm),体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源,可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCMT360N65S3
- 商品编号
- C890866
- 商品封装
- PQFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
SuperFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列,采用电荷平衡技术,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率。
因此,SuperFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰(EMI)问题,使设计实现更加简便。
Power88封装是一种超薄表面贴装封装(高度仅1 mm),外形低矮,占位面积小(8x8 mm²)。采用Power88封装的SuperFET III MOSFET由于较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源,具有出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级(MSL 1)。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 310 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Q_g = 18 nC)
- 低有效输出电容(典型C_oss(eff.) = 173 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器
