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FDC5661N-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.3A
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- 描述
- N 沟道，PowerTrench MOSFET， 逻辑电平，60V，4A，60mΩ
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC5661N-F085
- 商品编号
- C890871
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 763pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.3 A时,RDS(on) = 47 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 4 A时,RDS(on) = 60 mΩ
- 在VGS = 10 V时,典型Qg(TOT) = 14.5 nC
- 低米勒电荷
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 通过AEC-Q101认证且可提供生产件批准程序文件
- 该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器