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FDC608PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用安森美半导体（onsemi）先进的 POWERTRENCH 工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC608PZ
- 商品编号
- C890872
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款指定 2.5 V 的 P 沟道 MOSFET 采用先进的 POWERTRENCH 工艺制造，该工艺经过特别定制，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换。
商品特性
- 5.8 A，-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 30 mΩ；在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 43 mΩ
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT -6 封装：占位面积小（比标准 SO - 8 小 72%）、厚度薄（1 mm）
- 这些器件无铅且无卤化物
应用领域
- 电池供电应用：负载开关和电源管理、电池供电电路以及直流 - 直流转换