- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDC30N20DZ
FDC30N20DZ
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC30N20DZ
- 商品编号
- C890869
- 商品封装
- SSOT-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 356pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 4.6 A时,最大导通电阻rDS(on) = 31 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 4.2 A时,最大导通电阻rDS(on) = 38 mΩ
- 采用高性能Trench®技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 开关速度快
- 经过100% UI1L测试
- 典型的CDM静电放电保护等级 >2.0 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-同步整流器