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BSC082N10LSGATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:13.8A 100A
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- 描述
- 特性：N沟道，逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻 (RDS(on)) 的乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。150℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC082N10LSGATMA1
- 商品编号
- C669884
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A；13.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达150°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 按JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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