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SN7002NH6327
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.2A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SN7002NH6327
- 商品编号
- C672166
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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