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IPZ60R040C7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:73A
- 描述
- CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。600V C7是首个RDS(on) * A低于1Ohm*mm的技术。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ60R040C7XKSA1
- 商品编号
- C672204
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 73A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,24.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.34nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CoolMOS™ C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。 600V CoolMOS™ C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积RDS(on)*A低于1欧姆·平方毫米的技术。
商品特性
- 适用于硬开关和软开关（PFC和高性能LLC）
- 将MOSFET的dv/dt鲁棒性提升至120V/ns
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg提高了效率
- 同类最佳的导通电阻RDS(on)与封装比
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 按照JEDEC（J - STD20和JESD22）标准通过工业级应用认证
- 四引脚开尔文源极概念
应用领域
- 用于高功率/高性能开关电源（SMPS）的PFC级和PWM级（TTF、LLC），例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。
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