IRFR3710ZPBF

这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。

• 先进的工艺技术
• 超低导通电阻
• 175°C工作温度
• 快速开关
• 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
• 多种封装选项
• 无铅