商品参数
参数完善中
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 多种封装选项
- 无铅
参数完善中
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。