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IPP60R125C6XKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:30A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。该产品提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R125C6XKSA1
- 商品编号
- C672370
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,14.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 219W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.127nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF@480V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 通过JEDEC认证，无铅镀层，无卤素
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级
- 硬开关PWM级
- 用于电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）的谐振开关PWM级