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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 94pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
SuperMESH™ 系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列产品完善了意法半导体包括创新型 MDmesh™ 产品在内的全系列高压 MOSFET 产品线。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 增强的 ESD 防护能力
- 100% 雪崩测试
- 全新的高压标杆
- 最小化栅极电荷
应用领域
- 交流适配器和电池充电器
- 开关模式电源（SMPS）