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IDH04G65C5XKSA2

650V SiC肖特基二极管

描述
ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,在第三代中已经引入,现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列:这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。
商品型号
IDH04G65C5XKSA2
商品编号
C672253
商品封装
TO-220-2​
包装方式
管装
商品毛重
2.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅二极管
整流电流4A
正向压降(Vf)1.7V@4A
直流反向耐压(Vr)650V
属性参数值
反向电流(Ir)70uA@650V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)38A
工作结温范围-55℃~+175℃

数据手册PDF

交货周期

订货14-18个工作日

购买数量

(500个/管,最小起订量 500 个)
起订量:500 个500个/管

总价金额:

0.00

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