IDH04G65C5XKSA2
650V SiC肖特基二极管
- 描述
- ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺,在第三代中已经引入,现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列:这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IDH04G65C5XKSA2
- 商品编号
- C672253
- 商品封装
- TO-220-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 整流电流 | 4A | |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@4A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 70uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 38A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+175℃ |
交货周期
订货14-18个工作日购买数量
(500个/管,最小起订量 500 个)个
起订量:500 个500个/管
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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