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STL15DN4F5
2个N沟道 耐压:40V 电流:15A
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- 描述
- 汽车级双路N沟道40 V、8 mOhm典型值、15 A STripFET F5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL15DN4F5
- 商品编号
- C672329
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 4.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用STripFET™ F5技术开发的双N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的栅极电荷
- 低栅极驱动功率损耗
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用