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IPD70N10S3L12
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- 特性：N沟道。增强模式。符合汽车AEC Q101标准。MSL1,最高260°C峰值回流温度。工作温度175°C。符合RoHS标准。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD70N10S3L12
- 商品编号
- C672326
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.495238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.55nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 符合汽车级AEC Q101标准
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
- 工作温度达175°C
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试