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IPB025N08N3GATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 175°C工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB025N08N3GATMA1
- 商品编号
- C672318
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 206nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.2nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.89nF |
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