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IPP110N20N3GXKSA1
1个N沟道 耐压:200V 电流:88A
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- 描述
- 特性：N 沟道，标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP110N20N3GXKSA1
- 商品编号
- C672167
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.7mΩ@10V,88A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.1nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 533pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175 °C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
- 适用于高频开关和同步整流
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