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IPD15N06S2L64ATMA2
1个N沟道 耐压:55V 电流:19A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD15N06S2L64ATMA2
- 商品编号
- C672174
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 47W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- N沟道逻辑电平 - 增强型
- 符合汽车电子委员会AEC Q101标准
- 湿度敏感度等级1级，最高峰值回流温度达260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色封装（无铅）
- 超低导通电阻Rds(on)
- 100%雪崩测试
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