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STD70N10F4
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 这种STripFET™ DeepGATE™功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，它专门采用了新的栅极结构，旨在最大程度降低导通电阻，同时具备出色的开关性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD70N10F4
- 商品编号
- C672181
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽技术设计，具有出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用