温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STL110N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:107A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道100 V、5 mOhm典型值、107 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL110N10F7
- 商品编号
- C672185
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.224克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 107A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.117nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss/Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用