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IPW60R160P6FKSA1
IPW60R160P6FKSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R160P6FKSA1
- 商品编号
- C672202
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 144mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 极低的FOM(Rdson*Qg和Eoss)带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准
应用领域
-PFC级电路-硬开关PWM级电路-谐振开关级电路,例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和UPS
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