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STW21N150K5
N沟道高压功率MOSFET，采用MDmesh K5技术，导通电阻低、栅极电荷超低
- 描述
- N沟道1500 V、0.7 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW21N150K5
- 商品编号
- C672197
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 446W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.145nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmeshTM K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻,并实现超低栅极电荷,适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的RDS(ON)* 面积
- 业界最佳品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用