商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.45V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 低导通状态漏源电阻的N沟道开关
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级1
- 可根据要求添加后缀“-HF”提供无卤版本
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准。请参阅订购信息）
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