商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.45V | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低栅极阻抗
- 极低的 RDS(on)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
- 笔记本处理器电源同步MOSFET
- 网络系统中隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET
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