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BSC016N03LSGATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A 电流:32A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC016N03LSGATMA1
- 商品编号
- C672170
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A；100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W；2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 适用于开关电源的快速开关MOSFET
- 针对DC/DC转换器优化的技术
- 符合JEDEC标准，适用于目标应用
- N沟道
- 逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 雪崩额定
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求
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