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BSC030N03MSGATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:109A
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- 描述
- 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源具有低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 卓越的热阻。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC030N03MSGATMA1
- 商品编号
- C672125
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
商品特性
- 针对5V驱动应用(笔记本电脑、VGA、负载点电源)进行优化
- 适用于高频开关电源的低开关品质因数(FOMsw)
- 经过100%雪崩测试
- N沟道
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻乘积(品质因数FOM)
- 符合JEDEC1)标准,适用于目标应用
- 具有优异的热阻
- 无铅镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
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