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IPB100N04S4H2
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB100N04S4H2
- 商品编号
- C669890
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.18nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1级别
- 工作温度达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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