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2N7002H6327
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 特性：N沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。快速开关。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2N7002H6327
- 商品编号
- C672108
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平
- 雪崩额定
- 快速开关
- 无铅镀铅；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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