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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,0.22A | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW；920mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
应用领域
- 背光照明
- DC-DC转换器
- 电源管理功能