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IPA60R099P7XKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:20A

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描述: CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPA60R099P7XKSA1
商品编号: C672156
商品封装: TO-220FP-3
包装方式: 管装
商品毛重: 4.12克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS第七代平台是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的后续产品。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时具有出色的耐用性以及卓越的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

由于具有出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(PFC和LLC)
显著降低开关和传导损耗
所有产品的ESD耐用性卓越,>2kV(HBM)
低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使得与竞品相比,RDS(on)/封装产品表现更优

应用领域

PFC级
硬开关PWM级
电脑主机的谐振开关级
适配器
LCD和PDP电视
照明
服务器
电信
UPS

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	99mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	29W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	45nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.952nF
	反向传输电容(Crss)	649pF
	工作温度	-55℃~+150℃